论文部分内容阅读
该文对脉冲激光法(PLD)制备高温超导薄膜过程中出现的几个技术问题做了简要介绍。
脉冲激光淀积高温超导薄膜的几个技术问题
【摘 要】
：
该文对脉冲激光法(PLD)制备高温超导薄膜过程中出现的几个技术问题做了简要介绍。
【机 构】
：
科学院物理研究所
【出 处】
：
第四届全国超导薄膜和超导电子学器件学术会议
【发表日期】
：
1998年期
其他文献
该文通过在高能脉冲激光照射下物体表面温度变化的实验研究，发现在这种高能量、短脉冲、温度变化率很大的情况下，物体的导热规律已经偏离常规的傅立叶定律，出现了一些傅立叶导热
该文利用一维理想弹塑性流体力学模型，通过数值方法，研究了高功率脉冲强激光辐照固体靶材时，表面烧蚀压在固体靶材中产生的激波的形成、稳定和衰减过程。并分别利用累计损伤判据
采用PLD法在单晶Si片上制备了PZT铁电薄膜，用XRD,SEM研究了薄膜的结构、形貌。讨论了工艺参数对薄膜特性的影响。在SEM下进行了拉伸和三点实验，动态的观察了薄膜变形断裂过程。
利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的PtSi/Si纳米薄膜.采用X射线光电子能谱、原子力显微镜及高分辨电子显微镜等现代材料分析方法,研究了不同工艺参数薄膜的相形成、组分和界
作者通过脉冲激光淀积的方法在Y-ZrO衬底上原位生长了Pb(ZrTiO/YBaCuO双层薄膜，在此样品上利用电子探针分析了成份，X衍射谱证明 了两层薄膜的单取向生长。并对Pb(ZrTiO薄膜的铁
利用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＺｎＯ薄膜，ＸＲＤ表明，在１００℃～４００℃温度范围内制备的ＺｎＯ薄膜是高度Ｃ轴择优取向的，ＴＥＭ表明，ＺｎＯ薄膜的生长机制以柱状生长为主。
利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电镜观察了掺氮和未掺氮类金刚石薄膜的微结构和表面形貌。场发射实验表明，掺