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掺杂Y2O3使ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能得以大幅度提高。本文研究了掺杂0～1.7mol%Y2O3对压敏电阻片的影响。当0.68mol%掺杂量，在1140℃下烧成获得293～320V/mm的电位梯度、370J/cm3的能量吸收能力，分析了产生这些性能的微观特征，得出在掺杂Y2O3的压敏电阻片形成的新的抑制晶粒长大的含钇晶间相，其可能的主要相组成是Y1.5SbO3.5(YS相)，其中可能固溶有Zn、Bi、Cr、Co、Ni等元素，还分析了Y2O3掺杂的作用机理.并且研究了以Fe2O3、SiO2为主成分的"F"无机高阻层对高梯度压敏电阻片侧面绝缘的必要性，加速老化特性试验得出老化系数KCT小于1。