【摘 要】
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在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了钢锡氧化物(ITO)薄膜,用四探针测试仪、紫外可见分光光度计、X射线衍射等对薄膜样品进行了表征,研究了工艺条件中溅射功率、氧分压、
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,四川 成都,610064
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在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了钢锡氧化物(ITO)薄膜,用四探针测试仪、紫外可见分光光度计、X射线衍射等对薄膜样品进行了表征,研究了工艺条件中溅射功率、氧分压、工作气压对薄膜光电性能的影响,优化了ITO的制备工艺参数。制得了禁带宽度为3.9～4.0eV、电阻率为1.0～1.2×10-4Ω·cm、可见光区平均透过率达82％的光电性能优良的ITO薄膜。
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