【摘 要】
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本文研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积VHF-PECVD技术制备的微晶硅锗薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071
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本文研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积VHF-PECVD技术制备的微晶硅锗薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料的晶化率逐渐变大后趋于稳定。通过研究证明生长籽晶层和在稀释气体中加入He的方法都可以有效地减小非晶孵化层的厚度,使薄膜纵向结构生长相对均匀。将不同锗含量的微晶硅锗薄膜应用在电池中,在没有加背反射层的情况下,含36％Ge的微晶硅锗薄膜电池的短路电流达21.82mA/cm2。
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