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该文报导了高阴（４５～７０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ〈’＋〉ｎｎ〈’＋〉结的硅层中，经电子辐照后缺陷态的等温、等时退火特性，而且获得了主要缺陷态能级Ｅ〈，３〉、Ｅ〈，４〉的缺陷激活能和频率因子。
电子辐照NTD硅层中缺陷态的退火特性
【摘 要】
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该文报导了高阴（４５～７０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ〈’＋〉ｎｎ〈’＋〉结的硅层中，经电子辐照后缺陷态的等温、等时退火特性，而且获得了主要缺陷态能级Ｅ〈，３〉、Ｅ〈，４〉的缺陷激活能和频率因子。
【机 构】
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大学
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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