退火特性相关论文
金刚石作为第四代半导体材料,凭借其优异性能,使得金刚石器件在量子计算机、5G通讯、半导体照明等领域中有广泛应用。对于半导体来......
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示：随着总剂量的增加，晶体管基极电流增......
本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性.发现在220-380℃范围内薄膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越......
研究了不同温度退火对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系材料相结构,显微形态及电特性的影响,得出:500℃以下退火材稳定并改善材料的电性能,超......
对一款商用NROM存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的......
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示：随着总剂量的增加，晶体管基极电......
本文介绍了LM837双极运算放大器在1.8Mev、1Mev，不同能量不同束流、相同能量不同束流的电子辐照下的辐射效应及常温退火特性。......
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐......
介绍了二种不同型号的JFET输入运算放大器在不同剂量率辐照下的响应规律和退火特性,及在三种不同加速评估方法中的模拟结果。总剂......
本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率......
本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率......
为了改善PMOS剂量计的温度补偿技术,本文提出了一种用双MOSFET构成具有复合差分输出的PMOS剂量计.研究了复合差分输出PMOS剂量......
该文主要研究了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和〈’６０〉ＣｏΥ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数辐照后在室......
该文研究了用UTT－40型超高真空镀膜机蒸发形成的多晶硅薄膜的高子注入掺杂和退火特性，并用多晶硅发射极制作了新型的高灵敏度光电晶......
该文报导了高阴（４５～７０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ〈’＋〉ｎｎ〈’＋〉结的硅层中，经电子辐照后缺陷态的等温、等时退火特性，而且获得了主要缺陷态能级Ｅ〈，３〉、Ｅ〈，４〉的缺陷激......
该文对比了加固ＭＯＳＦＥＴ在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性，特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进......
通过溶胶-凝胶法获得孔SiO2载体,浸泡合成法获得Cd1-xMnxS/SiO2介孔组装体系样品,在氮气保护条件下和空气中研究了它们的退火特征,......
光纤光栅技术是光纤通信领域继光纤放大器之后的一个里程碑,由此产生的全光纤光子线路及其集成将对光纤通信的发展产生巨大的推动......
研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ......
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模......
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产......
本文首次给出用真空退火的方法获得Ti和（Ti+N）离子注入H13钢的退火曲线。500℃附近为最佳退火温度。从X射线衍射谱上发现,注入后生成......
获得性能稳定的光纤光栅具有重要的意义，文章介绍了氢载光纤、B／Ge光纤两种光敏光纤的退火特性。经比较，B／Ge光纤比氢载光纤具有更好的......
通过溶胶—凝胶法获得孔SiO2载体，浸泡合成法获得Cdl-xMnxS／SiO2介孔组装体系样品，在氮气保护条件下和空气中研究了它们的退火特征，在......
研究了不同温度退火对ZnO—Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>—TiO<sub>2</sub>系材料相结构,显微形态及电特性的影响,得出:500℃以下......
Effect of vacuum annealing on the characteristics of composite pellets containing DBSA-doped polyani
有 Fe nanoparticles 的 50wt% 的 DBSA-PANI-Fe 合成粉末被机械地混合做 DBSA 的 polyaniline 粉末和 Fe nanoparticles 准备。合......
在辐照试验研究中，经常面临退火问题。有时在低剂量率下需要对试验器件进行长时间的辐照才能达到一定的辐照总剂量，而在长时间的辐照......
采用RF平面磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究......
对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测......
本文用ｘ射线衍射仪测定了Ｂ＾＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＾＋注入Ｓｉ后辐射......
本文将系统的介绍热释光剂量计的发展历史,有关研究热释光剂量计的内容及其热释光剂量学有史以来所研究出的热释光材料的剂量学特......
系统地介绍了热释光剂量学的发展历史，有关研究热释光剂量计的内容及其热释光剂量学有史以来所研究出的热释光材料的剂量学特性，同时......
为给金属氧化物半导体场效应功率管（Power MOSFET）在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60^Co源对将应用于空间系统的两种P......
