c-Si表面的熔化及α-Si/Si薄膜晶化行为的分子动力学研究

来源 :2006年全国功能材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gxlzx

【摘要】

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采用S-W势运用分子动力学方法对硅晶表面的熔化及α-Si/Si薄膜的晶化进行了模拟.模拟结果表明:硅晶表面的熔化温度为1858K;降温过程中,先用过冷的方法得到非晶薄膜结构,其非

【作者】

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周少白陈立桥杨瑞东杨宇

【机构】

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云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091

【出处】

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2006年全国功能材料学术年会

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

硅晶表面熔化温度非晶薄膜晶化行为分子动力学方法转变温度温区模拟结果冷却速率降温过程薄膜结构运用文献解释结晶

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采用S-W势运用分子动力学方法对硅晶表面的熔化及α-Si/Si薄膜的晶化进行了模拟.模拟结果表明:硅晶表面的熔化温度为1858K;降温过程中,先用过冷的方法得到非晶薄膜结构,其非晶转变温度为1230K;再用较慢冷却速率对非晶薄膜进行降温晶化,得到不同温区的晶化方向以及薄膜的结晶主要温区为1200～900K左右;并就晶化方向与已报道的文献进行了比较和解释.

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