【摘 要】
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Ⅲ-Ⅴ族化合物InAs1-xSbx是制备中长波红外发光器和探测器的重要材料.本文采用水平滑移石墨舟液相外延(LPE)生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs1-xSbx薄膜,研究了其微观
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
【出 处】
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2005年全国光电技术学术交流会暨第十七届全国红外科学技术交流会
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Ⅲ-Ⅴ族化合物InAs1-xSbx是制备中长波红外发光器和探测器的重要材料.本文采用水平滑移石墨舟液相外延(LPE)生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs1-xSbx薄膜,研究了其微观结构和光学性质.X射线衍射(XRD)表明外延膜为结构完整的(100)取向单晶.采用扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌.能量色散谱(EDS)研究结果表明薄膜表面元素分布均匀.在1.5～5.5eV光子能量范围用紫外-可见光椭圆偏振光谱仪(SE)测量了室温介电函数谱ε(E),在E1、E1+Δ1和E2临界点ε(E)谱出现了峰值结构,用阻尼谐振子模型(DHO)对ε(E)进行了拟合.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1+Δ1跃迁为M1型临界点,分别对应于Λ5v→Λ6c和L6v→L6c跃迁,E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,发生在布里渊区的Σ或Δ轴.随着Sb组分的增大,E1和E2峰向低能量方向移动,自旋分裂能(Δ1)向高能量方向移动,表明电子自旋轨道(SO)相互作用增强.
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