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本工作采用溶胶-凝胶法通过改变旋涂速率制备具有三维六角和三维立方结构的介孔SiO2薄膜，并通过慢正电子湮没技术以及同步辐射小角X射线反射率研究其介孔结构随旋涂速率的变化。
改变旋涂速率制备有序介孔SiO2薄膜结构的正电子湮没和X射线反射率技术表征
【摘 要】
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本工作采用溶胶-凝胶法通过改变旋涂速率制备具有三维六角和三维立方结构的介孔SiO2薄膜，并通过慢正电子湮没技术以及同步辐射小角X射线反射率研究其介孔结构随旋涂速率的变化
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049郑州大学物理工程学院,郑州450001中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049
【出 处】
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第十届全国正电子湮没谱学会议
【发表日期】
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2009年11期
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