【摘 要】
：
采用射频磁控溅射在PMMA、PC等有机衬底和无机玻璃衬底上制备ITO透明导电膜.研究溅射功率对不同衬底上ITO膜电学性能与红外光谱的影响.无机玻璃衬底上,随溅射功率增加ITO膜电阻率降低,等离子吸收波长向短波方向移动;有机衬底上,在相同的溅射功率,有机衬底比无机衬底上ITO膜的栽流子浓度低,电阻率前者比后者大.较高的溅射功率(130W)破坏有机衬底,其上ITO膜电阻率变大.
【机 构】
：
中国建筑材料科学研究总院,北京市 100024
论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射在PMMA、PC等有机衬底和无机玻璃衬底上制备ITO透明导电膜.研究溅射功率对不同衬底上ITO膜电学性能与红外光谱的影响.无机玻璃衬底上,随溅射功率增加ITO膜电阻率降低,等离子吸收波长向短波方向移动;有机衬底上,在相同的溅射功率,有机衬底比无机衬底上ITO膜的栽流子浓度低,电阻率前者比后者大.较高的溅射功率(<130W)有助于有机衬底ITO膜致密度增加、氧空位增多,有机衬底和GLASS衬底上ITO膜载流子差距减小,进而电阻率差距减少。过高的溅射功率(>130W)破坏有机衬底,其上ITO膜电阻率变大.
其他文献
分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结果表明,覆盖AAo和SiO2膜的样品出光效率均得到了增强。AAO膜增强效果比SiO2膜明显。AAO膜覆盖的样品在某波长处增强因子(E)达到3.5,强度积分增强因子(Ei)达到2.2
柱状压电晶片堆主要由压电陶瓷晶片、金属定位螺栓、铜电极片、引线组成。各压电晶片之间夹有薄铜片,并用环氧树脂同心叠堆粘接以形成圆柱状晶片堆。通过有限元法分析晶片堆的振动模态,利用ANSYS软件建立晶片堆的有限元模型,求解晶片堆的频率特性,分析了振动频率与结构尺寸之间的关系。用阻抗分析仪和激光扫描测振仪对晶片堆的实体进行了阻抗和振动位移的测试,样品谐振频率的实测结果与仿真结果吻合较好。
基于目前对大尺寸InP单晶片的应用和需求,介绍了正在使用的封闭式热场结构,阐述了利用LEC(液封直拉)法在InP体材料生长过程中影响成晶率的一些关键因素,如温度梯度和热对流等,分析了有利于晶体生长的条件,对加热器、保温系统和单晶炉系统参数配置等进行了有利于热场的优化。研究了放肩形状和固液界面的形状对晶体质量的影响,认为正方形的放肩和平坦但微凸向熔体的固液界面可以提高InP单晶的成晶率和质量。结果表
用自主研发的射频磁控溅射设备在LaAlO3基片上制备了用于动态随机存储器(DRAM)的钛酸锶钡(BST)薄膜,采用AFM和XRD对薄膜的微结构进行了分析,用LCR测试仪测试了薄膜的介电性能。结果显示800℃退火30 min的BST薄膜结晶性能良好,薄膜均方根表面粗糙度小于4.5 nm,l MHz下介电常数为713,介电损耗为0.007。10 V偏压下,漏电流密度为1×10-7 A/cm2。
介绍了锡槽电加热系统以及系统中的关键设备调功器、变压器等,并通过电路分析说明了电加热元件的接线原理及设备安装、调制中需要注意的问题。
高碱铝硅酸盐玻璃具有优良的力学性能,尤其在硬度、韧性和抗划伤等方面表现突出,是电子信息产品的触摸屏幕和手写屏的优选保护材料,文中依据高碱铝硅酸盐玻璃温度一黏度特性曲线,提出成形过程中拉边机、直线马达和挡墙的应用要点和控制要求,探索浮法工艺生产超薄高碱铝硅酸盐玻璃的工艺技术要点。
在化学气相沉积(CVD)合成石英玻璃工艺中,针对不同熔融玻璃坨面形状,采用计算流体动力学(CFD)对炉膛内气流场进行模拟。模拟结果表明坨面形状对沉积过程影响明显:当坨面为球形时,炉膛内部气流场稳定,有利于SiO2微粒快速沉积;当坨面为平面时,炉膛内部气流紊乱,SiO2微粒不易沉积。并通过合成实验进行了验证:当SiCl4流量为159/min时,在合成的初始阶段坨面为平面,炉膛内气流紊乱,平均沉积速率
采用烧结法制备了Sm3+掺杂CaO-AlO3-SiO2系统微晶玻璃。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪研究了该微晶玻璃的析晶及发光性能。结果表明:微晶玻璃的主晶相为硅灰石(CaSiO3)与钙长石(Ca(Al2Si2O8)),该微晶玻璃能够被紫外及蓝光激发出红光。此外该微晶玻璃的发光强度高于同组分的玻璃,热处理时间对该微晶玻璃的结构、显微形貌及发光性能基本没有影响。
以HF、H2SO4混合液作为腐蚀液,在超声波作用下对薄玻璃进行了表面处理。实验中采用金相显微镜观察了腐蚀前后的表面状态,测厚指示表测量了腐蚀厚度,材料表面与界面性能实验仪研究了腐蚀前后的抗折强度.在超声波频率40KHz,功率125W条件下,通过正交设计实验对HF、H2SO4加入量,侵蚀温度、侵蚀时间进行了优化,结果表明HF浓度20、wt％,H2SO4浓度20wt％,侵蚀时间15min,侵蚀温度25
真空玻璃是一种新型节能玻璃,在提倡控制建筑能耗,低碳环保、节能减排的城市建设中有广泛的应用。本研究为一种制备真空玻璃的新方法,与传统制备工艺不同,采用”夹丝”的方法用金属丝线取代传统的点状支撑物。在真空室中,利用自动控制设备在420℃完成排气,封边等操作,从而避免因抽气口的存在带来的漏气隐患.通过采用四边固定均布荷载矩形薄板的挠度计算方法和有限元分析等来确定金属丝线的数量和排布方式,确定采用直径为