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精确控制单层二硫化钼的边缘结构和形貌是实现其在纳米电子学和光电催化领域的应用关键技术之一。在本文中我们采用密度泛函理论计算揭示了化学势在单层二硫化钼的晶体形貌和边缘结构的形成中的作用。基于Wulff的重构理论，我们的计算结果显示随着化学势从富钼到富硫，二硫化钼的形貌会从平面的十二边形，逐渐演化成六边形，最后变成三角形。