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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法对单斜晶相HfO2的本征缺陷以及掺杂N、Si、Al、Ta的缺陷进行了系统的研究。计算结果表明在富氧的条件下,+1价的TaHf,-1价的AlHf,-4价的VHf是稳定的缺陷。
高介电常数栅介质材料HfO2缺陷的第一性原理研究
【摘 要】
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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法对单斜晶相HfO2的本征缺陷以及掺杂N、Si、Al、Ta的缺陷进行了系统的研究。计算结果表明在富氧的条件下,+1价的TaHf,-1价
【机 构】
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河北科技大学理学院,石家庄,050018
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年期
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