【摘 要】
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介绍一种实现高性能增强型AlGaN/GaNAlGaN/GaN HEMT的新的方法。该方法是对AlGaN/GaN HEMT的栅极进行氟离子处理,并在500℃的温度下进行快速退火.本中给出了详细工艺实现过程
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018
【出 处】
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
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介绍一种实现高性能增强型AlGaN/GaNAlGaN/GaN HEMT的新的方法。该方法是对AlGaN/GaN HEMT的栅极进行氟离子处理,并在500℃的温度下进行快速退火.本中给出了详细工艺实现过程和工艺参数.实验结果表明,栅长1um的增强型AlGaN/GaN HEMT阈值电压接近0V,在栅源电压为2.5V是漏极电流密度为230mA/mm,栅极反向漏电流较小.
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