【摘 要】
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具有使常规体材既纳米化又同时渗He的特色的离子束辅助磁控He、Ar共溅射沉积方法,已经用于沉积纳米晶LaNiAl含氦膜和含氦粉.XRD、PBS,充放H2实验表明:决定纳米结晶LaNiAl膜的
【机 构】
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四川大学原子能科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064中国原子能科学研究院核物理所中子散射实验室中国工程物理研究院结构力学研究所,绵阳621900
【出 处】
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2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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具有使常规体材既纳米化又同时渗He的特色的离子束辅助磁控He、Ar共溅射沉积方法,已经用于沉积纳米晶LaNiAl含氦膜和含氦粉.XRD、PBS,充放H2实验表明:决定纳米结晶LaNiAl膜的含He量和He位置的关键因素是靶材的品质,最低弧放电PAr,PHe/PAr分压比及衬底温区.315℃温区,PHe/PAr为2.8及8,获得He/LaNiAl原子比10.9％、13.3％的两种结晶含氦膜,其储He、H2能力为LaNi3.2Al2.1He0.87H2.94、LaNi6.2Al1.2He1.03H2.74;释H2后,含氦膜仍保持其储He能力,分别为LaNi3Al1.6He0.72,LaNi6.2Al1.25He0.99;热解析表明LaNi4.0Al1.3He0.65中He以单一的Hen-V存在,含氦粉LaNi4.0Al1.0He0.48中子衍射首次证明He优先占位坐标为(0.38,0.44,0.50)存在于晶格中.
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