【摘 要】
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半导体激光器由于谱线较宽而无法满足如拉曼散射等对线宽有要求的应用需求,因此获得线宽较窄、波长稳定的半导体激光器十分必要.本文采用反射式全息光栅作为谱线窄化元件,研
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉430074
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半导体激光器由于谱线较宽而无法满足如拉曼散射等对线宽有要求的应用需求,因此获得线宽较窄、波长稳定的半导体激光器十分必要.本文采用反射式全息光栅作为谱线窄化元件,研究了在Littrow布局下的405nm外腔半导体激光器.反射式全息光栅的加入,使得光栅面和半导体激光器的输出面组成耦合外腔,这在很大程度上改善了405nm半导体激光器的线宽性能.实验结果表明,通过加入2400g/mm的反射式全息光栅形成外腔反馈,激光二极管的阂值电流由3lmA下降到22mA,谱线宽度从自由运行时的Inm减小到0.03nm以下,实现了窄线宽输出,并且在工作电流为lOOmA时,得到窄线宽半导体激光器的输出功率为28mW,为自由运行半导体激光器输出功率的31.7％.此外,通过调节反馈光栅的角度,实现了较大电流范围的激光波长的连续调谐,最大调谐范围达3.5nm.
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