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SOI(silicon-on-insulator)光波导是硅基光波导器件的基础上,也是实现其它有源器件无源器件以及光学器件交叉连接的基础.三维脊形光波导引入水平方向的折射率差,加强了波导对光场的限制,可以实现大截面尺寸单模传输的SOI光波导.采用反应离子刻蚀方法制作了脊形SOI光波导.本文讨论了气体流量、射频功率以及刻蚀深度对刻蚀速率的影响,分析了硅的各向异性反应离子刻蚀机理.通过优化工艺条件,制作出边缘垂直的脊形结构SOI光波导.