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仿生抗反射硅纳米柱阵列的制备及其光学性能
仿生抗反射硅纳米柱阵列的制备及其光学性能
来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qiuyueguangxuan
【摘 要】
:
晶硅基底的反射系数较高,使得入射光的反射率达到40%,严重影响了单晶硅基底的光学及光电学器件的性能,例如太阳能电池、显示器、光学传感器等[1-4]。为了提高这些器件的性能,
【作 者】
:
徐洪波
李垚
杨昊崴
【机 构】
:
哈尔滨工业大学
【出 处】
:
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
仿生
抗反射
纳米柱
阵列
制备
器件的性能
硅基底
单晶硅
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晶硅基底的反射系数较高,使得入射光的反射率达到40%,严重影响了单晶硅基底的光学及光电学器件的性能,例如太阳能电池、显示器、光学传感器等[1-4]。为了提高这些器件的性能,需要降低单晶硅基底表面反射光的损失。
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