纳米柱相关论文
硅基自组织锗量子点（Ge量子点）因其与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）工艺兼容和对应于通讯波段......
AlGaN基LED芯片是新一代固态光源,具有节能、寿命长、用途广泛、波长从深紫外到蓝光波段连续可调等优势,可用于医疗消毒、工业固化......
半极性（11（?）2）面AlGaN材料作为深紫外发光二极管（UV-LED）有源区材料可以有效抑制传统c面AlGaN的量子限制斯托克斯效应（QCSE）,而AlGaN纳米......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
本文采用水热法,以SnC l4.5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68%,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合......
光伏电池是一类能够将光能转化电能并加以利用的重要光电器件。对光伏电池的研究主要在于如何提升其光电转换效率,更加高效地实现......
AlGaN材料可以通过调节铝组分使其禁带宽度从3.4eV(GaN)连续变化到6.2 eV(AlN),覆盖了从近紫外到深紫外波段,因此被广泛应用于LED......
随着电子信息技术和传感器技术的发展,植入式电子器械得到广泛应用。作为植入式电子器械的核心器件,植入式电极充当了从生物体获取......
随着能源危机和环境污染的逐渐加剧,人们对可再生能源的需求也越来越大。太阳能取之不尽,用之不竭,是能源技术领域发展最快的新能......
ZnO是典型的第三代宽带隙半导体,是II-VI族直接带隙半导体,其禁带宽度为3.37e V,室温下激子束缚能高达60me V,远大于室温的热离化......
Ⅲ族氮化物是一种直接带隙半导体材料，拥有诸多优异的物理化学性质，通过改变合金比例，其禁带宽度在0.7eV到6.2eV间连续可调，发光波长可......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
随着纳米技术的逐渐发展，纳米管、线、柱、棒以及核壳等形状的纳米材料引起了研究学者们的极大关注。另外，他们在新型国防建设、医疗......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以多孔阳极氧化铝为原料,用NaOH溶液进行化学腐蚀,控制适当的条件得到氧化铝纳米柱和纳米柱团簇结构.利用扫描电子显微镜对其结构......
采用直接热蒸发锌粉的方法在硅(001)基底上制备ZnO纳米结构,生长温度分别为550℃和600℃,得到ZnO纳米柱和纳米蝌蚪.XRD和Raman光谱......
提出一种改进的自旋转移矩器件的制备工艺:在电子束曝光形成纳米级图形之后,依次采用离子束刻蚀、带胶绝缘层淀积再正胶剥离的图形......
美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）的研究人员研发出一种新型的纳米柱硅片，可捕捉从肿瘤脱落到血液中的癌细胞——循环肿瘤细胞（CTCs）。这一......
利用水热法制备出与透明导电衬底附着良好的多种纳米结构ZnO薄膜,包括纳米柱阵列、纳米管阵列、纳米片阵列等,方便集成在多种器件......
为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率......
为了尽早开发出可替代化石燃料的新能源，世界各国的研究人员都没日没夜地在干在众多可再生能源中，太阳能自然是关注的重点，而这次立功......
在预处理基底上，采用化学溶液沉积法在低温下制备氧化锌纳米柱薄膜。通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）表征了氧化锌纳米柱的形貌和晶......
Ni-Co合金由于自身优异的性能,在微机电系统以及航空航天等领域展现出巨大的潜力。对于Ni-Co合金宏观体系已经有了大量的研究积累,......
近些年,随着科技的发展,航空航天以及航海等行业对于材料性能的要求也愈发严格,金属钛由于其独特的性能受到了越来越多的青睐,并且......
纳米压痕法在确定纳米结构材料,特别是具有较大高宽比的一维纳米结构/对象的力学特性时,若纳米结构沿压入方向的等效刚度远小于针......
在神经假体系统中,神经微电极是实现信号检测以及激励任务的重要组成部分.然而,神经微电极由于尺寸微小,往往具有很高的电极/组织......
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ZnO是一种宽带隙的半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,具有优良的物理和化学性质,是目前光电子研究领域的热......
作为一种新型的电致发光器件,有机电致发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Device)具有驱动电压低、节能环保、响应速度快以......
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本文采用水热法,以SnC l4.5H2O为前驱物,在180℃,填充度为68%,反应时间8h,强酸环境条件下合成了SnO2纳米金红相晶体,直径约为5~10n......
本文采用水热法,以SnC l4.5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68%,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管因具有寿命长、尺寸小、高效、节能等优点,得到广泛的研究与应用。随着光通信、万物互联等领域的进一步发......
为了增加化合物铜锌锡硫(CZTS)太阳能电池的光电转化效率,将纳米结构应用到P型吸收层半导体材料中,并通过时域有限差分法(FDTD)的......
GaN作为宽禁带半导体材料,具有热导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性,可用于制备蓝光、绿光、紫外光的发光器件。GaN基LED器件......
随着全球经济发展和人口的增长,化石能源导致的污染问题日渐加剧,人们开始探索传统能源的替代方案。太阳能是地球上储量最丰富且最......
为了得到角向偏振光输出,采用严格耦合波分析方法,设计了一种复合光栅镜。先通过对Ge光栅的伪博世工艺刻蚀特性的研究,得到了高深......
用水热法在溶解有Zn(CH3COO)2与C6H12N4的溶液中添加NH4NO3与Al(NO3)3制备了ZnO纳米柱阵列。结果表明,添加在溶液中的NH4NO3降低了......
氧化锌属于的宽带隙(3.37eV)半导体,常温下激子束缚能为60meV。其结构为纤锌矿晶体结构,室温下可以实现受激发射。由于氧化锌具有......
超构表面为衍射光学元件的设计提供了一种新思路。2016年，哈佛大学的Capasso团队成功研究出了基于超表面的可见光波段的平透镜，该成......
在过去的几十年里，二氧化钛纳米材料因其独特的特性效应和优异性能而引起了人们极大的兴趣。因为材料与外界物质的相互反应主要发生......
