【摘 要】
：
静态随机存储器(SRAM)作为最主要的存储器之一,是现代SoC中的关键部分.其功耗以及稳定性等各方面性能是整个芯片性能的关键因素.半导体工艺进入纳米级以后,参数波动越来越大,漏电流功耗也越来越大.这使得SRAM的设计在稳定性、功耗等方面面临新的问题.这就需要考虑良率进而找到新的更全面的权衡设计.本文,以8管结构为例,提出一种由充分的良率分析作为导向的近阈值SRAM低功耗系统设计.实验结果表明,在4
【机 构】
：
清华大学微电子与纳电子学系,北京 100084
【出 处】
：
第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
静态随机存储器(SRAM)作为最主要的存储器之一,是现代SoC中的关键部分.其功耗以及稳定性等各方面性能是整个芯片性能的关键因素.半导体工艺进入纳米级以后,参数波动越来越大,漏电流功耗也越来越大.这使得SRAM的设计在稳定性、功耗等方面面临新的问题.这就需要考虑良率进而找到新的更全面的权衡设计.本文,以8管结构为例,提出一种由充分的良率分析作为导向的近阈值SRAM低功耗系统设计.实验结果表明,在40nm工艺下,最终的设计可以工作在近阈值工作电压下,并在1M的阵列中仍保持80％的良率.
其他文献
针对2009年2月9日央视电视文化中心特大火灾,本文提出了高层建筑火灾后力学性能评估的系统理论和方法.首先通过火灾现场调查和火灾数值模拟,确定建筑火灾温度场.然后,提出了考虑火灾和荷载耦合的建筑结构火灾反应分析方法.同时,还提出了整体建筑结构的火灾反应分析方法.本文还进行了大量结构及构件的火灾后力学性能试验,对评估方法进行验证,从而保证了评估方法的正确性和合理性.本文提出的评估方法为央视电视文化中
本文基于中国尊大厦项目中出现的巨型节点板节点,进行了焊接数值模拟.巨型钢结构节点板节点受力复杂,焊缝集中,焊接残余应力很大,且不易消除,需要进行研究分析,焊接残余应力数值模拟是确定焊接残余应力的有效方法之一.
曲面玻璃幕墙已经广泛应用于建筑工程中,对玻璃面板冷弯成形的方法可以较好实现建筑效果,但是玻璃的安全性一直是各方关注的焦点.本文以昆明西山万达广场实际工程为例,对玻璃冷弯成形的计算分析方法及施工方式进行探讨,运用有限元软件ANASYS11.0对玻璃冷弯后应力、变形及荷载最不利组合进行了模拟分析.结果表明:冷弯变形产生的初始应力在规范允许范围内;冷弯作用在最不利组合中所占比例较小;通过精细地计算和设计
2011年在液态烃纤维膜脱硫的基础上增上纤维膜碱液反抽提系统,以石脑油为抽提介质,将碱液中的二硫化物抽提到石脑油中,降低循环碱液中的硫化物含量,从而降低脱后液态烃硫含量,运行过程中反抽提系统也存在一些问题,针对问题提出了一些改进型措施.碱液反抽提系统在设计阶段必须考虑在碱液系统增加过滤器，防止碱液中的杂质进入纤维膜系统，影响纤维膜上碱液成膜，影响碱液反抽提系统的抽提效果，造成碱液中二硫化物的含量上
近年来,随着质量问题的频频发生,如何有效提高质量成为企业普遍关注的问题.目前石油企业主要以实施质量管理体系来达到保证质量的目的,然而由于种种原因,其质量管理的实施并未获得预期效果.本文即针对当前导致石油企业质量管理体系实施不到位的几个问题进行分析,并提出几点相应对策,指出我国石油企业要在市场竟争中保持持续稳定的发展脚步，就必须重视质量管理体系的完善。企业只有通过制定以客户为主的质量管理机制、过程控
本文设计了一种能够执行浮点比较指令和特殊指令的运算部件,支持SIMD单精度浮点和双精度浮点数据格式,能够实现数据大小比较、求浮点尾数和指数、求倒数、平方根倒数和求绝对值操作,指令的执行周期均为1.使用NC-Verilog进行了功能验证,并用Design Compile在40nm工艺库下进行了综合,最长延时为200ps,单元面积为7826.2801μm2,总功耗为1.3389mW,与Matrix D
在数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)中,定点数据之间的运算是最常用的基本操作.本文设计了一款基于SIMD(Single Instruction Multiple Data)结构的32位定点算术逻辑单元(Integer Arithmetic Logic Unit,IALU),主要实现32位和2×16位带饱和处理的加减运算、比较操作、逻辑操作以及求绝对值、求前导
本文基于40nm工艺设计了一款SRAM32X64的高性能存储器,采用电路优化设计和全定制的版图布局布线,时序分析和功能验证.新型的存储单元采用读写分开的策略,这样就不存在因工艺偏差带来的稳定性差的问题,而且在功耗、面积及执行性能上都有很大的提高,尤其是CMOS工艺尺寸越小,这种优势就越明显.
前导零计数器速度的快慢直接影响到浮点加法器的性能,针对现有前导零计数器设计普遍存在运算速度慢、占用面积资源大等问题,本文借鉴加法器的树形结构,提出了一种运算速度快、面积资源占用少的前导零计数器电路结构.本文通过理论推导,证明了设计原理的正确性,并在40nm工艺环境下,以51位前导零计数器设计为例,完成了电路的设计及优化.实验结果表明,在相同的约束条件下,电路设计相比于RTL 级代码在时序上减少了1
本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款23GHz的交叉耦合压控振荡器.该差分压控振荡器采用共射极组态和交叉耦合结构,利用ADS仿真软件和cadence在1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺下完成了仿真与版图设计.仿真结果表明:中心频率处的相位噪声为-104.7dBc/Hz@1MHz,单端最大输出功率为10.179dBm,调谐范围为22GHz～23.89 GHz,综合性能指数为-176.5