功率半导体器件是进行电能(功率)处理的半导体产品,是弱电控制与强电运行间的桥梁,各种电能如果不进行控制,绝大部分不能直接利用。75%以上的电能应用需要由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。因此,功率半导体器件在工作中自身的损耗,对于决定能源的利用效率就特别重要。SiC功率器件,具有高压大功率、自身开关能量损耗低以及可以在高温和苛刻辐射下工作等优点,在高压大功率高温等苛刻环境的的功率变换应用中显示出明显的优势。近二十多年来,发达国家投入了大量人力及物力进行研发,取得了丰硕的研究成果,并且逐步形成了批量生产能力。GaN功率器件具有SiC功率器件类似的优点,虽然由于缺乏GaN体材料而暂不能在很高电压及很大功率的器件中同SiC竞争,但由于Si上外延GaN材料的技术突破,促使1000V、5KW量级GaN横向功率器件快速发展,其应用前景也十分诱人。本报告,从SiC及GaN材料性质和功率器件的优点出发,介绍SiC及GaN材料和功率器件的发展状态,通过给出的应用例子,说明它们的应用前景,最后对我国SiC及GaN功率器件的发展提出几点建议。