【摘 要】
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现有MEMS制造工艺难于同时满足既能加工真三维微结构又能与集成电路工艺兼容的要求,严重阻碍了MEMS产业化的进一步快速发展.本文分析了20世纪90年代中期兴起的压印光刻技
【机 构】
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华中科技大学微系统中心,武汉,430074
【出 处】
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全国生产工程第九届年会暨第四届青年科技工作者学术会议
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现有MEMS制造工艺难于同时满足既能加工真三维微结构又能与集成电路工艺兼容的要求,严重阻碍了MEMS产业化的进一步快速发展.本文分析了20世纪90年代中期兴起的压印光刻技术的相关工艺,认为该技术可改造成能加工任意曲面形状且与集成电路工艺兼容的三维模压刻蚀技术,从而成为一种新的MEMS加工工艺.提出了实现该技术的工艺路线-光致固化冷模压工艺.该工艺避免了热压印光刻工艺中因热变形而导致精度降低的问题,因而复型分辨率和复型质量高.给出了通过改造设计准分子激光加工系统,采用准分子激光烧蚀加工模压刻蚀模板的方法和三维模压刻蚀机的设计方案.该设计采用宏微两级驱动分别实现粗精定位找准.并采用莫尔干涉法进行对准位置检测.该设计可实现模板与承片台之间均匀接触所需的三个运动自由度,又可以实现横向精密定位所需的沿x、y轴的直线运动和绕z轴的旋转运动(θ),从而在200mm×200mm的工作范围内,重复定位和找准精度小于20nm.最后提供了按照该设计方案制作出的实验样机压印出的微透镜阵列、凸点阵列及纳米级沟槽等部分实验图像.
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