【摘 要】
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本文研究了IGBT发生短路事件时的器件物理特性,并结合实际的设计优化措施给出了合理的优化设计方案.首先从分析器件理论公式出发,讨论了饱和电流的影响因素,之后重点采用模拟
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文研究了IGBT发生短路事件时的器件物理特性,并结合实际的设计优化措施给出了合理的优化设计方案.首先从分析器件理论公式出发,讨论了饱和电流的影响因素,之后重点采用模拟手段仿真分析了不同优化措施的对器件短路特性影响的实际效果.研究结果表明,调整器件的元胞节距是比较有效的优化设计方法,各种优化短路特性的措施都必须充分考虑对器件其它参数的影响.采用折中设计原则实现最优的器件设计方案.
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