【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射工艺制备了VO2 薄膜.对比了在K9 玻璃基底上,TiO2 及V 缓冲层对氧化钒薄膜的影响.XRD 及光电特性测量结果都表明,添加TiO2 缓冲层后需要薄膜沉积温
【机 构】
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深圳大学物理科学与技术学院薄膜物理与应用研究所,广东深圳,518060
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采用直流反应磁控溅射工艺制备了VO2 薄膜.对比了在K9 玻璃基底上,TiO2 及V 缓冲层对氧化钒薄膜的影响.XRD 及光电特性测量结果都表明,添加TiO2 缓冲层后需要薄膜沉积温度条件更加苛刻,但可以有效得减小VO2 薄膜相变热滞宽度,增大相变幅度,生长出质量更好的VO2薄膜.另外,在几个原子层厚度的V 单质缓冲层上生长VO2 薄膜,V 单质缓冲层可以有效地提高VO2 薄膜结晶质量.
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