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5. 原子层沉积制备稀土Tb掺杂SiO2 MOS器件及其电致发光性质的研究

原子层沉积制备稀土Tb掺杂SiO2 MOS器件及其电致发光性质的研究

来源 :第13届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：iamasg_wql

【作 者】

：

刘犇 侯琼琼 邢晓东 刘晓芳 孙甲明 

【机 构】

：

教育部弱光非线性光子学实验室,南开大学物理科学学院,天津市南开区卫津路94号,300071

【出 处】

：

第13届全国发光学学术会议

【发表日期】

：

2013年12期

【关键词】

：

原子层沉积 掺铽二氧化硅 硅基MOS器件 电致发光 

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