【摘 要】
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化学机械抛光(CMP)技术是实现超大规模集成电路(ULSI)多层布线平坦化的唯一技术。就国内外关于CMP材料原子/分子磨损机理的试验和模型研究状况和发展进行了评述。指出现有微
【机 构】
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江南大学机械工程学院,江苏,无锡,214122
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化学机械抛光(CMP)技术是实现超大规模集成电路(ULSI)多层布线平坦化的唯一技术。就国内外关于CMP材料原子/分子磨损机理的试验和模型研究状况和发展进行了评述。指出现有微观试验和模型描述CMP材料原子/分子磨损过程中存在的问题,提出在原子/分子量级的材料磨损机理研究中引入原子/分子能量理论,以便深入揭示CMP材料原子/分子去除机理,为建立精确控制CMP过程提供理论依据。
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