【摘 要】
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近年来,宽禁带半导体材料氧化锌(ZnO)受到了广泛的关注.由于ZnO的禁带宽度达3.37ev,具有良好的光学性能.ZnO材料被认为是制备如紫外LED,激光二极管,紫外光电探测器的优良
【机 构】
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北京交通大学发光与光信息教育部重点实验室100044
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近年来,宽禁带半导体材料氧化锌(ZnO)受到了广泛的关注.由于ZnO的禁带宽度达3.37ev,具有良好的光学性能.ZnO材料被认为是制备如紫外LED,激光二极管,紫外光电探测器的优良材料[1-3].从一定程度来说,ZnO晶体的质量决定了器件的性能表现.为了获得高质量的ZnO晶体,试验中我们可以采用多种方法,比如说水热法,气相沉积等等.据报道,Dirk Ehrentraut小组通过高压水热法制备出了近年来质量最好的ZnO晶体[4].但是由于溶液中不可避免的杂质和昂贵的生长设备造成了制备ZnO单晶的费用较高,可以预见到,由于成本便宜的高质量ZnO单晶的缺少会影响到ZnO基器件的商业化进程.
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