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本文通过中频脉冲磁控溅射在Si衬底上沉积AIN薄膜,并在不同温度(600℃,700℃和800℃)下对薄膜进行退火处理。用XRD分析了薄膜的择优取向,原子力显微镜对氮化铝薄膜进行表面形貌分析,通过紫外可见光谱仪对样品进行反射光谱测试.实验结果表明,700℃为优化退火温度,经700℃退火后得到c轴在薄膜平面内的择优取向的AIN薄膜。