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本文研究了在GaN上外延生长InGaN薄膜中应变及缺陷随厚度的变化。研究发现，100 nm厚的In0.11Ga0.89N薄膜与GaN层基本保持共格状态。随着厚度的进一步增加，InGaN层开始弛豫，在弛豫过程中InGaN层中产生了高密度的穿透位错，其In组分从0.11增加到0.2。在InGaN厚膜中存在着应变和In组分梯度变化的过渡层。