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具有直接光学带隙(1.5 eV)CuInS2 是一种无毒的、绿色环保的无机光电材料,将广泛应用于发光器件、太阳能电池、激光器和生物荧光标识等领域.胶体CuInS2 量子点通过改变尺寸和组分可调谐其发光光谱从近红外到可见区.为了制备高发光效率CuInS2 量子点,彭研究小组对CuInS2 量子点进行包覆ZnS 表面壳层修饰使其光致发光的量子效率超过了30％[1].Klimov 研究小组通过包覆CdS 和ZnS壳层使CuInS2 量子点的红光的发光效率提高到80％[2].谢研究小组制备掺杂Zn 的CuInS2 量子点发光效率达到70％[3].这些研究使得高质量CuInS2 量子点的合成技术得到迅速发展,为增大CuInS2 量子点在光电器件及生物医学领域的应用提供纳米材料的保证.在三元或四元半导体量子点中,由于单一量子点中的组分难以控制使得合成的量子点具有一定的尺寸分布.尽量减少金属阳离子成为制备高质量CuInS2 量子点的研究方向.Yang 研究小组通过改变Cu和In 的前驱液的摩尔比,发现Cu∶In=1∶4 时包覆ZnS 壳层的CuInS2 量子点效率达到50％[4].但对CuInS2量子点的发光机制的分析不够详细.本工作中我们对富In 型CuInS2/ZnS 核壳量子点发光性质进行研究.实验发现,随着Cu/In 的前驱液摩尔比从1∶3 减小到1∶8,量子点发光峰位从630 nm 蓝移到550 nm,发光效率逐渐增大.当Cu∶In=1∶8 时,CuInS2/ZnS 核壳量子点的发光效率为67％.通过对稳态光谱、时间分辨的荧光光谱、变温光致发光光谱以及循环伏安曲线分析,研究Cu/In 比CuInS2/ZnS 能级及缺陷密度的影响,探索富In 型CuInS2/ZnS 核壳量子点的发光机制.