应变调控的嵌入GaAs量子点/GaAs纳米线结构的荧光发射特性

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xuanwuba

【摘要】

：

GaAs是Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,嵌入GaAs量子点的GaAs纳米线结构(GaAs QDs-GaAs NWs)具有优良的光电性能1,可以被应用于光纤通信设备中的近红外量子点光电器件、中红外量子点探测器,及量子点太阳能电池等。通过施加电场、磁场和温度场,应力等外场,改变半导体的光学性质,可展现出多种丰富的物理效应,从而产生更为广泛的应用。

【作者】

：

王丽吉元韩晓东

【机构】

：

北京工业大学固体所,北京 100124

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

应变 GaAs量子点阴极荧光

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