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该文对大功率电力半导体器件阻断电压、通态压降、门极电流的一致性与器件结构物理参数之产蝗关系进行了分析计算。计算结果表明，体压降是通态压降偏差的主要来源，其中基区宽度、少子寿命起着至关重要的作用。
大功率硅整流管晶闸管通态压降一致性的分析研究
【摘 要】
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该文对大功率电力半导体器件阻断电压、通态压降、门极电流的一致性与器件结构物理参数之产蝗关系进行了分析计算。计算结果表明，体压降是通态压降偏差的主要来源，其中基区宽度
【机 构】
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电力电子技术研究所
【出 处】
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中国电工技术学会第一届电化学整流电源新技术研讨会
【发表日期】
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1997年期
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