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该文利用反应离子刻蚀装置，研究了磁控溅射工艺制备的PZT薄膜在SF6/Ar等离子气体中的刻蚀情况。通过控制变量法，得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线。结果表明，随着射频功率的增加，刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快，压强超过一定值时，刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时，随气体流量的增加而加快，在较大的气体流量下反而降低。通过比较不同条件下的刻蚀结果，得到了刻蚀PZT的优化工艺条件。