外电场对BeH分子结构和势能函数的影响

来源 :第五届全国计算原子与分子物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mqj0712
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  采用密度泛函B3P86 方法,结合Dunning 的相关一致五重基cc-PV5Z,设置不同的外电场参量进行优化计算,获得了不同外电场下BeH 分子的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱等物理性质参数。通过分析参数随外电场的变化关系,判断离解电场所处的范围,设置合适的外电场参数,采用单双取代耦合团簇CCSD(T)方法,扫描计算该范围的单点能获得其势能曲线。结果分析表明物理性质参数和势能随外电场的变化而变化,且外加反向电场时变化幅度更大。利用偶极近似理论构建外电场下的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算临界离解电场参量,结果与数值计算和理论分析较为一致,说明构建的模型是合理和可靠的。这为分析外场下分子光谱、动力学特性和分子Stark 效应冷却囚禁提供重要的理论和实验参考。
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