【摘 要】
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该文主要讨论了ＣｏＳｉ〈，２〉ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明，ＣｏＳｉ〈，２〉 ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构不仅可以降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻，而且对ＳＯＩ器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。与多晶硅栅器件相比，采用ＣｏＳｉ〈，２〉ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构的器件经过辐照以后，器件的阈
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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该文主要讨论了ＣｏＳｉ〈，２〉ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明，ＣｏＳｉ〈，２〉 ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构不仅可以降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻，而且对ＳＯＩ器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。与多晶硅栅器件相比，采用ＣｏＳｉ〈，２〉ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构的器件经过辐照以后，器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄电流、环振的门延迟时间等均有明显改善。由此可，ＣｏＳｉ〈，２〉ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一。
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