【摘 要】
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In和Sn的熔点分别为430和505K,加热熔解后,In-Sn气化为In-In20及Sn-SnO等气体.在气相中,经氧气直接氧化成In2O3-SnO2等氧化物,附着在玻璃基材上,形成ITO薄膜.本研究,透过热力学之计算和分析,了解到In和Sn金属,藉由控制温度和氧压,改变沈积于薄膜中InO与SnO的组成,寻出最佳ITO薄膜及其制程,如穿透率及导电度.
【机 构】
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国立台北科技大学材料及资源工程研究所(台北)
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In和Sn的熔点分别为430和505K,加热熔解后,In-Sn气化为In-In20及Sn-SnO等气体.在气相中,经氧气直接氧化成In2O3-SnO2等氧化物,附着在玻璃基材上,形成ITO薄膜.本研究,透过热力学之计算和分析,了解到In和Sn金属,藉由控制温度和氧压,改变沈积于薄膜中In<,2>O<,3>与SnO<,2>的组成,寻出最佳ITO薄膜及其制程,如穿透率及导电度.
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