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引言针一板电极结构可以产生极不均匀电场,针尖处电场最强,针尖直径趋近无穷小时,电场强度趋近无穷大.将非故意掺杂的片状立方氮化硼(以下简称cBN)单晶固定在针-板电极间,与两电极紧密接触,分别在不同气压条件下施加直流偏压,研究了cBN对气体放电和低温等离子体产生的促进作用.
立方氮化硼对等离子体产生的促进作用
【摘 要】
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引言针一板电极结构可以产生极不均匀电场,针尖处电场最强,针尖直径趋近无穷小时,电场强度趋近无穷大.将非故意掺杂的片状立方氮化硼(以下简称cBN)单晶固定在针-板电极间,与两电极紧密接触,分别在不同气压条件下施加直流偏压,研究了cBN对气体放电和低温等离子体产生的促进作用.
【机 构】
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吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室 吉林长春130012 吉林大学通信工程学院光通信系 吉林长
【出 处】
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第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
【发表日期】
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2013年1期
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