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<正>半导体自旋电子材料是实现自旋电子器件、自旋光电子器件和量子信息器件的物质基础。传统的 GaAs 基稀释磁性半导体的居里温度只有110K,为了实际应用,急需发展居里温度在室温以上的稀释磁性半导体。理论和实验研究均已表明,稀释磁性半导体的居里温度与材料的禁带宽度直接相
宽禁带半导体自旋电子材料研究
【摘 要】
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<正>半导体自旋电子材料是实现自旋电子器件、自旋光电子器件和量子信息器件的物质基础。传统的 GaAs 基稀释磁性半导体的居里温度只有110K,为了实际应用,急需发展居里温度在
【机 构】
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南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室; 香港中文大学电子工程系;
【发表日期】
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2004年期
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