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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞探针CV、非接触电学测试方法表征了样品的2DEG浓度分布和方阻均匀性。
势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响
【摘 要】
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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞
【机 构】
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南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,210016
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2006年期
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