【摘 要】
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运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基垂直结构LED.然而,传统GaN基垂直结构LED的制作过程比较繁琐,等离子体电感耦合(ICP)通常需要用到两次(刻蚀u-GaN,分离器件并确定芯片尺寸),刻蚀工艺复杂,价格昂贵,而且在刻蚀的过程中会对底部的反射镜以及量子阱造成一定的损伤.
【机 构】
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厦门大学信息科学与技术学院电子工程系,厦门361005
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运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基垂直结构LED.然而,传统GaN基垂直结构LED的制作过程比较繁琐,等离子体电感耦合(ICP)通常需要用到两次(刻蚀u-GaN,分离器件并确定芯片尺寸),刻蚀工艺复杂,价格昂贵,而且在刻蚀的过程中会对底部的反射镜以及量子阱造成一定的损伤.
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