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近年来SnO作为少数几种p型透明导电材料之一逐步受到人们的重视[1].然而由于SnO为间接带隙半导体(G->M：～0.4 eV)，使其难以作为有源层应用于光电器件中.最近有研究表明，随着SnO外延层厚度的减小，其可见光吸收边发生蓝移.本文利用第一性原理计算了单层及多层SnO的电子结构.
第一性原理研究单层及多层SnO电子结构
【摘 要】
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近年来SnO作为少数几种p型透明导电材料之一逐步受到人们的重视[1].然而由于SnO为间接带隙半导体(G->M：～0.4 eV)，使其难以作为有源层应用于光电器件中.最近有研究表明，随着Sn
【机 构】
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功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室,有机化工新材料湖北省协同创新中心,湖北大学材料科学与工程学院,武汉430062
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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