CVD法阳光控制硅镀膜玻璃的制备及性能研究

来源 :第五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ilqiqi2010
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以SiH〈,4〉作为原料气在N〈,2〉保护气氛下,采用常压化学气相沉积方法在普通浮法玻璃基板上沉积一层硅薄膜制备阳光控制硅镀膜玻璃。使用X光电子能谱、紫外-可见光谱等分析测试了试样的结构,组成和光学性能。结果表明硅镀膜玻璃的性能与反应温度、反应主压力、反应气体流量、掺杂气体浓度等制备参数密切相关。随着反应温度的提高,硅镀膜玻璃的透过率明显减少,达到20℅左右,而反射率逐渐增大,同时表面氧化明显。随着C〈,2〉H〈,4〉的掺杂,逐步形成SiC,表面氧化增加,硅镀膜玻璃的耐碱性得到显著改善。
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