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气压对采用脉冲激光沉积技术在AlN/Si异质结上外延生长GaN薄膜性能的影响

来源 :2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dyq1890

【作 者】

：

朱运农 王文樑 杨为家 王海燕 李国强 

【机 构】

：

华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学广东省半导体照明与信息化工程技术研究中心,广东广州 510640

【出 处】

：

2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

气压 脉冲激光沉积技术 AlN 异质结 外延生长 GaN薄膜 性能 

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