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本文根据近年来国内外大力发展隈列场发射阴极，并据此形成了研制各类真空微电子器件热点的事实，由阵列场发射阴极工作的特点出发，在总结归纳的基础上，简单介绍了当前国内外学者最看重的几种阵列场发射阴极的现状。
二十世纪末期不加热陈列场发射电子源的飞速发展
【摘 要】
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本文根据近年来国内外大力发展隈列场发射阴极，并据此形成了研制各类真空微电子器件热点的事实，由阵列场发射阴极工作的特点出发，在总结归纳的基础上，简单介绍了当前国内外学者最看重的几种阵列场发射阴极的现状。
【机 构】
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中国科学院电子学研究所 华中师范大学物理系（武昌）
【出 处】
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第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会
【发表日期】
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1999年12期
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本文讨论全行业共同努力,为把我国建设成铸造强国而奋斗,主要讨论，一、呼吁各级政府重视铸造行业存在的问题,制订相应的扶持和优惠政策,推动铸造行业科学、健康、持续发展，二、必须加大铸造企业的重组和结构调整,大力发展专业化生产,进一步扩大优势企业的规模，三、必须加大科技投入,建立以企业为主体、产学研相结合的研发体制,切实推动自主创新，四、必须大力降低能耗和原材料消耗,努力抓好环境保护和劳动保障，五、必须
利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电镜观察了掺氮和未掺氮类金刚石薄膜的微结构和表面形貌。场发射实验表明，掺氮降低了类金刚石薄膜的阈值电场，提高了发射电流密度。
本文报道了纳米金刚石薄膜场电子发射的实验结果。纳米金刚石薄膜是由微波等离子体化学气相沉积在钼衬底上制备而成的。借助于X射线衍射（XRD），观察到金刚石（111）面的宽峰结构。根据（111）面衍射峰的线宽计算出金刚石的平均颗粒大小约为48nm。利用扫描电子显微镜（SEM）对薄膜表面形貌进行了观察。显示出金刚石颗粒的平均大小约为40nm。由XRD的线宽计算得到的颗粒大小与SEM的观察结果基本符合。Ra
在本考察了金刚石薄膜的成核密度对其场发射特性的影响，发现较低的成核密度有利于获得较好的发射特性；对发射曲线进行了拟合，并对所得结果进行了讨论。
本文报导了纳米金刚石薄膜的场电子发射。金刚石薄膜是利用微波等离子体化学气相沉积法（CVD）在沉积了Mo膜的陶瓷衬底上制备的。通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、Raman光谱等手段确定薄膜是纳米结构。X射线衍射谱显示有金刚石（111）面的宽峰，利用SEM观察到了薄膜的纳米结构，Raman谱显示在1332C＜＇-1＞有一宽峰，另一个宽峰在1580cm＜＇-1＞。在真空度约10＜＇-7＞To
在Au/Si和Ti/Si和Si三种不同的衬底材料，通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp＜＇3＞键含量非晶金刚石薄膜（amorphous diamond:AD）。使用阳极覆盖有电压荧光粉的二极管型结构，对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究。测试表明，衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响。结果表明，衬底界面层对其产生重要的影响。通过二次离子质谱（SIMS）测试分析了AD/Ti/
用微波等离子体化学气相沉积设备，在陶瓷/金属钼薄膜衬底上沉积出了氮掺杂非品碳膜，分别用扫描电子显微镜（SEM），金相显微镜及Raman谱对样品进行了分析测试，并研究了不同掺杂样品的场致电子发射特性。结果表明：在我们的实验范围内，随着氮掺杂量的增加，发射电流密度增大。
采用磁过滤真空弧等离子体沉积系统，在纳米尺寸硅尖针阵列＜＇[1]＞上沉积不同厚度的非晶金刚石薄膜（a-D）。扫描电镜（SEM）分析结果表明薄膜均匀、平滑。利用配备有五维样品操纵台、网状阳极二极管测试结构、透明阳极、电流稳定性记录仪和实时录像系统等装置的场致发射综合分析仪，对具有不同薄膜厚度的尖针样品的场致电子发射特性进行测试，内容包括：电流—电压/电场特性、发射址的空间分布、电流稳定性等。结果发现