【摘 要】
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论文使用脉冲腐蚀和恒流腐蚀制备了两种不同结构的多孔硅,通过采用正负极对调并加恒定电流若干时间的阴极还原方法,研究了阴极还原对多孔硅电子源发射特性的影响.实验结果表明,阴极还原通过钝化多孔硅的高活性表面,消除了悬挂键与缺陷,改善了电子源的发射特性.采用阴极还原处理后,无论是恒流腐蚀还是脉冲腐蚀,多孔硅电子源的发射效率和发射电流均显著提高,电子发射的重复性与稳定性也有明显改善.脉冲腐蚀的多孔硅电子源最
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 陕西西安 710049
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论文使用脉冲腐蚀和恒流腐蚀制备了两种不同结构的多孔硅,通过采用正负极对调并加恒定电流若干时间的阴极还原方法,研究了阴极还原对多孔硅电子源发射特性的影响.实验结果表明,阴极还原通过钝化多孔硅的高活性表面,消除了悬挂键与缺陷,改善了电子源的发射特性.采用阴极还原处理后,无论是恒流腐蚀还是脉冲腐蚀,多孔硅电子源的发射效率和发射电流均显著提高,电子发射的重复性与稳定性也有明显改善.脉冲腐蚀的多孔硅电子源最大发射电流和发射效率分别从未采用阴极还原方法的2.91μA/cm2和1.30‰,提高到阴极还原后的21.54μA/cm2和19.22％,恒流腐蚀则从未采用阴极还原方法的1 1.90μA/cm2和1.30‰提高到阴极还原后的61.90μA/cm2和12.10％.
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