【摘 要】
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本文使用HSE06的杂化密度泛函理论和基于波函数的镶嵌团簇方法,研究了Lu2SiO5晶体中掺杂Ce3+离子取代占据两个不同Lu格位时的电子性质和4f→5d跃迁.HSE06计算获得的基质带隙
【机 构】
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安徽师范大学 物理系,芜湖,安徽,241000
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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本文使用HSE06的杂化密度泛函理论和基于波函数的镶嵌团簇方法,研究了Lu2SiO5晶体中掺杂Ce3+离子取代占据两个不同Lu格位时的电子性质和4f→5d跃迁.HSE06计算获得的基质带隙为6.35eV,与实验值(6.4 6.8eV)符合的很好.研究表明,相对于六配位的Lu2格位,Ce3+强烈倾向于取代占据七配位的Lu1格位.
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