化学机械抛光(CMP)技术在存储器硬盘抛光中的应用

来源 :第七届全国摩擦学大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zmjmengm1988
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随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小,硬盘表面要求超光滑.化学机械抛光是目前广泛接受的全局平面化技术.本文研究了镍磷敷镀的硬盘基片在胶体SiO<,2>抛光组合物中的抛光试验,Chapman MP2000<+>表面形貌仪测得表面平均粗糙度(Ra)和波纹度(Wa)分别为0.55A及0.90A,为迄今报道的硬盘抛光的最低值.原子力显微(AFM)发现获得的基片表面非常光滑平整,表面近无划痕、凹坑、点蚀等表面缺陷.
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