阻变存储器相关论文
金属-氧化物结是电子器件基本组成部分之一。一般来说,由于金属功函数和氧化物电子亲和能的不同,在金属-氧化物界面会形成肖特基势......
柔性透明导电薄膜在柔性器件的发展中占据着重要地位,需同时具有良好的柔韧性、较高的导电性和优异的透光性,目前柔性衬底大都是基......
随着摩尔定律的放缓和冯·诺依曼瓶颈带来的限制,传统的硅基存储器面临着严重的工艺技术引起的物理尺寸限制。阻变存储器具有结构......
新型非易失性存储器是最有潜力取代现有集成电子设备中数字模拟电路的器件之一,且具有应用于仿突触结构、神经拟态计算的潜力。将......
阻变存储器是为了解决浮栅存储器尺寸的不断缩小引发的一系列问题而兴起的一种非易失性存储器,它结构简单、尺寸可缩小性好、存储......
二维材料具有平面内外各向异性的物理性质,它们可以从相应的体材料中剥离得到,当厚度薄到几个或单个原子层时,开始展现出独特的物......
随着5G的到来,网络的交互行为将变得更加频繁,数据的上传和下载量将是之前4G时代的数倍。这也就表明了无论是服务器还是云都需要比......
存储器在日常生活、工业生产和信息技术等领域都扮演着重要的角色,为了满足社会需求,研究者们不断的进行存储器的开发,阻变存储器（R......
随着科技进步,人们对数据处理与存储的要求大幅度增加。阻变存储器集成存储和计算为一个单元,在下一代存储技术中展现出巨大的能源......
当代大数据的开发,云计算、通信和电子产品的发展对信息存储器提出了更高的性能要求,信息存储市场对非易失性存储器的需求量与日剧......
随着物联网的不断发展,数据吞吐量急剧增加,系统对存储器性能的要求日益提高。基于低维功能材料的纳米器件可极大地缩小器件尺寸,......
在RRAM交叉阵列结构中实现逻辑运算可以较好地解决传统冯诺依曼架构中的存储墙问题.三值逻辑相比于传统的二值逻辑,具有更少的逻辑......
阻变存储器由于结构简单,存储密度高,体积小等优点被视为是下一代通用的非易失性存储器。同时,随着可穿戴器件的飞速发展,对阻变存......
随着大数据、物联网等平台的兴起,人们对于信息存储分析的需求井喷式增长,研发低功耗、低成本、高密度、高速的存储器迫在眉睫。阻......
随着人们对计算机信息存储和处理的要求越来越高,新型非易失性存储器得到了国内外科研单位的重视。其中,阻变存储器以其低功耗、可......
学位
随着科技的进步和信息技术的发展,存储器在现代社会的重要性日益凸显,市场对于数据传输、数据处理等多方面的需求也不断增长,传统......
近年来,信息技术不断发展,存储器成为信息产业的脉搏。而随着存储器尺寸的不断缩小,传统Flash器件遇到了栅极漏电、读写速度慢等问......
随着5G、大数据、人工智能、物联网等高新技术产业的快速发展,存储器的集成度和性能也与日俱增,然而传统的半导体存储器在几十年的......
随着电子器件逐渐开始流行“智能化”,“小型化”,为了不断适应大数据时代发展的需要,市场对信息存储技术提出了更高的要求。目前,......
随着大数据时代的来临,云计算、人工智能、物联网等新兴领域的出现使业界对存储芯片的需求急剧增加。然而,随着工艺制程的缩小,传......
阻变存储器（RRAM）具有储量大、器件面积小、能耗低、以及与传统工艺兼容等优点,有望取代Flash存储器,解决其因特征尺寸减小时存在的......
学位
阻变存储器（RRAM）因其结构简单、低功耗、高开关速度和良好的微缩性成为下一代最有前景的非易失性存储器,其中氧化铪阻变存储器具有......
近年来,电子器件与电子设备已成为日常消费和娱乐生活中必不可少的物品,但其快速更新换代和随意丢弃不仅带来了个人信息泄露的潜在......
当前信息时代,每天涌现出大量的信息数据,这些海量信息的存储及处理需要更高效的计算存储单元。随着电子设备的快速更新,传统信息......
信息时代的快速发展使人们对存储器的性能及集成度要求越来越高。随着存储器物理尺寸的缩小,其操作速度、功耗及运行电压等出现了......
随着手机、笔记本电脑等便携式电器的普及,以及近几年来互联网技术和新型智能化电子产品的快速发展,非挥发性存储器在整个半导体行......
阻变随机存储器（ReRAM）,由于其优异的器件性能极有潜力成为下一代非易失性存储器:结构简单、尺寸缩减能力强、超快的操作速度以及低......
银硫系化合物由于尺寸可缩减性好、擦写速度快、具有多值存储能力等优点,在阻变存储器介质材料研究中受到广泛关注.但随着介质材料......
采用水热法合成了尺寸为50～100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS2/Ag,PMMA=聚甲基丙......
采用电子束蒸镀的方法制备Ti/HfOx/Pt器件.通过测量器件的I-V曲线,研究器件的阻变特性.结合X 射线光电子能谱和透射电子显微镜研究......
随着云计算、物联网和大数据等信息技术的快速发展,人们需要存储和处理的数据呈爆炸式的增长,主流的存储技术越来越难以满足市场的......
本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点，提出了可切换的写电路......
本文采用磁控溅射和光刻技术制备了1×1 μm2的TiN/HfO2/ITO器件，通过正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究......
基于过渡金属氧化物的非挥发性阻变存储器(RRAM)被认为是极有可能替代Flash及DRAM等传统存储器而成为下一代存储器的强有力候选者.......
本文研究了Ti/ZrO2/Pt阻变存储器的双极转变特性.氧空位组成的导电细丝的形成和断裂是产生电阻转变特性的主要机制.器件低阻态和高......
编程成功率是阻变存储阵列可靠性的重要方面.本文采用1KblT1R阵列系统研究了晶体管的衬偏效应对Cu/HfO2/Pt阻变存储器编程成功率的......
阻变存储器具有存储单元结构简单、擦写速度快、功耗低、有利于大规模集成等优点,受到广泛关注.本文论述了RRAM的基本结构和工作原......
本文研究了阻变存储器Ti/ZrO2/Pt转变时间与初始阻态的统计关系。器件采用脉宽可调的测试方法能够显著的提高转变的均一性并且能够......
作为一种新兴的存储技术,阻变随机存储器(RRAM)的柔性化有利于推动可穿戴电子设备的发展。目前,无机或有机阻变存储材料往往存在机......
零维SnO2量子点因具有优异的物理化学稳定性、高电子迁移率和能带结构可调等特性,是阻变存储器中阻变功能材料的良好选择,受到了研......
为了改善阻变开关层在厚度小于10 nm下的氧化铪(HfO_x)基阻变存储器的电学性能,提高器件开关均匀性并增大器件开关比,在开关层中加......
HfOx是一种具有宽带隙和高介电常数的薄膜材料，近年来在微电子领域引起极度的关注，基于HfOx的阻变存储器件具有转变电压低、数据......
随着半导体技术的不断发展,晶体管的尺寸不断缩小,在不久的将来将会达到极限,传统的浮栅型存储器将会遭遇巨大的瓶颈.阻变存储器具......
采用第一性原理计算结合原子替位掺杂的方法,研究原子掺杂效应对氧空位形成能的影响.通过计算发现,在氧化铝中进行金属原子替位掺......
非易失存储器是集成电路最重要的技术之一,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域,有着巨大的市场。......
采用脉冲激光沉积技术在不同的氧气氛围下制备了Ag/WOx/Pt、Ag/AgOx/Pt和Ag/AgOx/WOx/Pt异质结.分别对异质结进行了电流-电压特性......
该文提出了一种基于阻变存储器(RRAM)的混合型物理不可克隆函数(PUF)芯片指纹电路。RRAM器件采用石墨烯电极、对称山型结构实现,具......
阻变随机存储器具有低压、高速、低功耗、结构简单、与CMOS传统工艺兼容、低成本、高密度等优势而越来越受到广泛的关注，被认为是下......
