【摘 要】
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Diamond is not only the best candidate for IR windows, but also a promising carrier confin ment layer for oxynitride-based optoelectronic devices. However, little is known of the band level in Indium
【机 构】
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Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, 92 Xidazhi Str., 1500
【出 处】
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第十一届全国表面工程大会暨第八届全国青年表面工程学术会议
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Diamond is not only the best candidate for IR windows, but also a promising carrier confin ment layer for oxynitride-based optoelectronic devices. However, little is known of the band level in Indium oxynitride(InOxNy)/diamond interface system. The InOxNy thin films were deposited on 2-mm-thick single-crystal diamond by the conventional magnetron sputtering with the N+ plasma. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) was used to measure the electronic energy level at InOxNy/diamond interface. The accurate determination of the band level is important for the application of oxynitride-based electronic devices.
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