【摘 要】
:
The field emission properties of Silicon nanocones are researched by theoretical simulations and experiments.The results of theoretical calculations show that tip receiver and short distance are favor
【机 构】
:
College of Physics Science and Technology,Yangzhou University,Yangzhou 225002,China;Department of Ph
【出 处】
:
中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
论文部分内容阅读
The field emission properties of Silicon nanocones are researched by theoretical simulations and experiments.The results of theoretical calculations show that tip receiver and short distance are favorable for field emission.Excellent field emission properties of silicon nanocones are obtained experimentally.
其他文献
酒泉-湖南±800kV特高压线路工程沿线局部地区走廊较为紧张,存在有多条特高压线路平行于同一线路走廊内的情况.本文从线路使用条件入手,根据ANSYS有限元分析结构塔型动力特性和受力特点,得到一种导线垂直排列的塔型,并与常规F塔进行了技术经济比较.结果表明,该塔型就是最大限度地压缩走廊宽度,减少民房和工厂的拆迁,对工程的顺利实施和降低工程造价有重大的现实意义.
为解决灵绍线不能同时停电跨越向上、锦苏线的问题,开展了钻越方案的设计工作.根据初步分析计算和现场勘测情况确定了钻越点位置及路径方案,推荐采用取消地线的钻越方案,并从弧垂控制、呼高确定、防雷保护、光缆连接、电磁环境、跨越110kV线路方案等方面进行分析论述,确保了钻越设计方案的可行性.
当导线受到张拉荷载时,各层股线所受静应力不一致,所以在受到同样的交变应力时,各层股线的疲劳寿命不同.本文力求找到导线各层股线的轴向应力的正确计算方法.通过两种理论公式计算和运用数值仿真方法建模计算JL/G1A-630/45的各层股线的轴向应力,还开展了部分实验测试与数值分析进行对比,对上述结果进行对比、分析,寻找差异的原因所在.本文通过计算发现,有限元计算结果与现有的理论公式相比有较大的误差,且个
电力系统通信电源为通信站点的通信设备提供直流工作电源,它的正常与否直接影响电力系统通信网络的安全可靠运行,其中蓄电池组尤为重要,通信蓄电池的正常运行保障了交流供电故障时通信系统的正常运行.文章叙述了通信蓄电池远程在线充放电系统各功能模块原理、设计方案及实现方法,展望了预期成果.
通信网络是配网自动化系统的核心,是配网自动化主站、业务信息和配电终端之间的纽带,是实现智能配电网的基础条件.文章在论述济南电力通信网现状的基础上,对现有光传输网进行比较,结合配网自动化对通信通道的需求,确定了通信网络的技术指标.分析济南电力通信网的特点,选定适合济南城市配电网示范工程发展的PTN技术作为配网通信的传输网络,提出网络建设方案,组成配电通信网络平台,通过济南城市核心区配电网示范工程的实
新型冷阴极纳米功能材料由于在平板显示、微波放大器、毫米波器件、传感器、新型光学及光电子器件领域有着十分重要的应用前景,因此一直是研究的热点之一.具有低的表面功函数、良好的导电性、小的尖端曲面半径、高的热稳定性、化学稳定性和机械强度等特性的低维维纳米结构是用于电子显示器件中一个潜在的冷阴极纳米场发射材料.为了提高场发射性质和减少由于屏蔽效应,基于低维纳米材料冷阴极的图案化生长是十分重要的。由于元素硼
利用电泳沉积制备石墨烯阴极,通过简单的溶液法在石墨烯表面生长氧化锌量子点,改善场发射性能.石墨烯-氧化锌量子点复合发射体表现出良好的场发射性能,与纯石墨烯相比,其具有较低开启场强、较低的阂值场强、高场发射增强因子以及更稳定的发射电流.利用第一性原理计算研究制备的复合材料,分析氧化锌量子点修饰对石墨烯电子结构和场发射性能的影响.研究表明电子发射性能的改善主要归因于氧化锌量子点,它引入更多的缺陷,增加
X射线管通常采用热阴极电子源和冷阴极电子源.相比于热阴极电子源,冷阴极电子源的X射线管具有体积小、响应快、容易聚焦、能耗低,数字化控制等优势.与此同时,X射线相位衬度成像的发展特别是常规X射线源的光栅成像技术的诞生,将会给基于场致电子发射的冷阴极X射线管带来新的发展机遇.本文主要研究了基于光栅干涉法的常规X光源光栅成像技术的相关理论,并就冷阴极X射线源对于光栅相位衬度成像质量的影响做了探究.
真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和固态电子器件的优点.本文提出一种圆形真空沟道MOS二极管结构,并对其电子发射性能开展基于有限积分技术(FIT)的数值模拟研究.结果表明,真空沟道半径大小影响空间电荷虚阴极的位置及电势大小,进而影响器件发射电流密度.相关研究结果有助于理解此类结构真空电子器件的工作原理,同时
利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了碱金属和氯吸附原子对石墨烯的功函数的影响.计算结果表明,碱金属原子吸附不仅可以显著降低石墨烯的功函数,而且功函数以及费米能级的变化与碱金属原子的电负性呈现线性关系;而氯原子的吸附可以显著提高石墨烯的功函数.由于石墨烯的屏蔽效应的影响,吸附原子对石墨烯的另一侧功函数的影响被削弱.