【摘 要】
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测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明，石墨的商谱谱峰最
【机 构】
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广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁530004
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测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明，石墨的商谱谱峰最高，SiO2的谱峰次之，B的谱峰最低。随着B，C和O原子序数的增加，与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高；含100ppm的B的样品的谱峰次之：含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高，含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低，正电子寿命增长，缺陷开空间和浓度升高。
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